Výrobca Číslo produktu:
BSD214SN L6327
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSD214SN L6327-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventár:
12829220
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSD214SN L6327 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
143 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT363-PO
Balenie / puzdro
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSD214SNH6327XTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5980
ČÍSLO DIELU
BSD214SNH6327XTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9Y12-80E,115
MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
BUK9215-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
BUK9J0R9-40HX
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
